IBMはこのほど、世界で初めてサブ１ナノメートル（１ナノ未満）の半導体製造技術を開発したと発表した。同技術ではナノスタック型トランジスタを採用し、トランジスタを垂直方向に積層することで従来の微細化の限界を突破する。これにより、同じチップ面積でより高性能な処理が可能になるほか、低消費電力化によるエネルギー効率の大幅な改善も実現できる。このアプローチは半導体スケーリングの次段階を規定し、データセンターや次世代エレクトロニクスにおける高効率処理の実現に直接寄与すると見られる。IBMは今後、量産基盤の整備を加速させるとともに、関連特許の取得とサプライチェーン企業との連携を強化する。サブ１ナノメートル世代の技術標準を牽引することで、次世代半導体競争における主導権の確立と業界全体の性能・効率向上を推進する方針だ。