Samsung verdoppelt HBM4-Produktion im nächsten Jahr

Samsung Electronics beabsichtigt, die Fertigung seiner HBM4-Familie im kommenden Jahr mehr als zu verdoppeln. Das Unternehmen plant eine signifikante Ausweitung der Produktion von HBM4 und der siebten Generation HBM4E. Als zentraler Indikator für diese Kapazitätserweiterung wird die Nachfrage nach Glas-Trägerplatten, die während des Dünnschleifprozesses der Wafer mechanische Stabilität gewährleisten, von aktuell 20.000 auf monatlich 50.000 Einheiten steigen. Dieser Anstieg um das 2,5-Fache korreliert direkt mit der geplanten Produktionssteigerung der Hochleistungs-Speicherchips. Insgesamt wird die HBM-Baufertigung von Samsung voraussichtlich um nahezu 40 Prozent auf etwa 250.000 Wafer im Monatsdurchschnitt zunehmen. Der Produktmix verschiebt sich dabei deutlich zugunsten der neuen Generationen: Während die HBM4-Familie in diesem Jahr rund 40 Prozent der Lieferungen ausmachte, sollen im kommenden Jahr bis zu 80 Prozent auf HBM4 und HBM4E entfallen. Die technische Basis lieferte bereits im Februar die Inbetriebnahme der Massenfertigung auf Basis einer sechsten DRAM-Generation sowie eines auf 4-Nanometer-Prozess ausgelegten Basis-Dies. Im Mai folgte die Musterlieferung des zwölf-Layer-HBM4E an Nvidia, woraufhin die Serienausrollung nun beschleunigt wird. Branchenanalysten werten die strategische Fokussierung auf HBM4 als klaren Versuch, auf dem hochrentablen Markt für KI-optimierte Speicherbauteile Marktpositionen zu sichern. Die drastische Aufstockung der Logistik- und Reinigungskapazitäten für Glas-Träger unterstreicht, wie Samsung die technologischen Herausforderungen bei höheren Stapelzahlen meistert und die wachsende industrielle Nachfrage nach leistungsfähiger Bandbreitenspeicherung nachhaltig bedienen will.