2026年，韩国浦项科技大学（POSTECH）与产业技术研究院（KITECH）联合团队在《Results in Engineering》期刊发布突破成果，成功研发结合微转移印刷与原位键合的新型半导体封装工艺。该研究由金硕教授与金浩运博士主导，针对人工智能等领域对高带宽内存（HBM）算力密度的迫切需求，传统工艺在处理数微米级超薄芯片时易发生弯曲、错位与断裂。团队创新性地采用单步一体化制程，将高精度芯片贴装与金属互连同步完成，全程在低于180摄氏度及20千帕的低压环境下运行。实测数据显示，该工艺成功稳定堆叠逾十层厚度约14微米的超薄硅芯片，层间对准误差极小且结构翘曲得到有效抑制，最终封装集成密度达到商用12层HBM的约四倍。此项技术不仅为突破AI内存墙提供了高效路径，大幅提升了垂直空间内的存储与计算效能，其微米级精密对准与键合能力更具备广泛产业化前景，未来将深度赋能芯片异构集成、新一代微发光显示及先进半导体制造，推动存储架构向超高密度集成迈进。