نجح فريق بحثي كوري جنوبي في تطوير تقنية ثورية لتغليف أشباه الموصلات، تهدف إلى كسر عنق الزجاجة في ذاكرة أنظمة الذكاء الاصطناعي من خلال تحقيق كثافة تكامل عمودي للرقائق تفوق نظيراتها التجارية من ذاكرة النطاق العريض عالي السرعة بأربعة أضعاف. نُشرت النتائج في مجلة Results in Engineering عام 2026، مستعرضة منهجية دمج متقدمة تدمج بين النقل النقالي الدقيق والربط المعدني المتزامن لتسهيل رص أكثر من عشر رقائق شبه موصلة فائقة الرقة دون فقدان الاستقرار الهيكلي. تواجه صناعة المعالجات المتخصصة للذكاء الاصطناعي والمركبات ذاتية القيادة تحدياً جوهرياً في معالجة البيانات الضخمة بسرعات فائقة، مما دفع المهندسين نحو التراكم العمودي للرقائق بدلاً من التوسع الأفقي. ومع انخفاض سماكة الرقائق إلى أقل من عشرات الميكرومترات، تزداد قابليتها للانحناء والكسر، مما يجعل عمليات التغليف التقليدية غير مجدية اقتصادياً وفنياً. ولتجاوز هذه العوائق، طور الباحثون منصة معالجة متكاملة تعتمد على النقل النقالي لوضع الرقائق بدقة متناهية، متبوعة فوراً بتشكيل الوصلات المعدنية في عملية واحدة. شملت الاختبارات تصنيع رقائق سيليكون بسمك 14 ميكرومتراً تقريباً، مزودة بمسارات كهربائية عمودية وأفقية، وتم ترصيصها بنجاح تحت ظروف معتدلة بدرجة حرارة تقل عن 180 مئوية وضغط يقل عن 20 كيلو باسكال. أسفر هذا الإجراء عن تضاءل أخطاء المحاذاة بين الطبقات وكبت التشوه الهيكلي، محققاً كثافة تكامل تعادل أربعة أضعاف هياكل ذاكرة HBM القياسية المكونة من 12 طبقة ضمن نفس الارتفاع الرأسي. يقود هذا الإنشاء البروفيسور سيوك كيم، وطالب الدكتوراه المتكامل أو هيون كيم من قسم الهندسة الميكانيكية بجامعة بوهانغ للدراسات المتقدمة، بالتعاون الوثيق مع الدكتور هو هيون كم من المعهد الكوري للصناعة. وأكد الفريق أن هذه التقنية، التي تعتمد على محاذاة وربط دقيق على المستوى الميكرومتري، لا تقتصر فوائدها على تعزيز أداء معززات الذكاء الاصطناعي وأنظمة الذاكرة المتطورة فحسب، بل ستُعد حجر زاوية لدمج الشرائح الموزعة، وشاشات العرض الدقيقة من نوع Micro-LED، والتصنيع الإلكتروني المتقدم. ومع اقتراب التقنية من مرحلة الإنتاج التجاري، من المتوقع أن تعيد تشكيل معايير كفاءة الطاقة والكثافة في قطاع أشباه الموصلات، مدعماً المتطلبات المتصاعدة للحوسبة السحابية والواقع المعزز في الأسواق العالمية.