Samsung double sa production de HBM4 et HBM4E

Samsung Electronics prévoit plus que de doubler sa production de puces mémoire haute bande passante HBM4 et HBM4E l'année prochaine. Cette expansion industrielle s'accompagne d'une augmentation significative des commandes de supports en verre, nommés glass carriers, dont le volume mensuel passera de vingt mille à cinquante mille pièces. Ces supports temporaires sont indispensables au processus de fabrication, car ils maintiennent les plaquettes de DRAM parfaitement planes lors des opérations d'amincissement et de perçage requises pour empiler dix-huit couches ou plus dans un format extrêmement compact. Le constructeur coréen a déjà amorcé la montée en cadence des HBM4, livrées en série dès le mois de février. Ces puces de sixième génération intègrent une mémoire DRAM de dix nanomètres et une couche de base gravée en quatre nanomètres. En mai, Samsung a également fourni des échantillons de HBM4E de septième génération, comportant au moins douze couches, à des partenaires majeurs tels que Nvidia. Les indicateurs de production confirment cette accélération : la capacité mensuelle moyenne devrait franchir le seuil des deux cent cinquante mille plaquettes, soit une progression d'environ quarante pour cent par rapport aux cent quatre-vingts mille prévues cette année. La part des produits de la famille HBM4 et HBM4E dans les expéditions totales pourrait ainsi passer de quarante à quatre-vingt pour cent. Les analystes du secteur soulignent que cette stratégie traduit un positionnement délibéré de Samsung autour des mémoires HBM à forte valeur ajoutée. La hausse du volume de glass carriers sert d'indicateur fiable de cette montée en puissance, confirmant que ces nouvelles architectures empilées s'imposent comme des composants stratégiques pour l'essor des centres de données et des systèmes d'intelligence artificielle.