中山大学材料科学与工程学院孙勇副教授、王成新教授团队成功实现了大面积Bi₂O₂Te晶体薄膜的可控制备，并验证了其非饱和线性磁阻特性。Bi₂O₂Te作为二维量子材料，具有超高电子迁移率和显著的Shubnikov-de Hass量子震荡，是未来磁传感和存储器件的重要材料。该研究通过优化实验条件和微纳加工技术，制备了不同厚度的大面积晶体薄膜，并进行了图案化处理。实验结果表明，低温下Bi₂O₂Te展现出超高迁移率（2 K下，∼45074 cm² V⁻¹ s⁻¹）和大线性磁阻（~1345 %），这些特性与经典迁移率涨落模型一致。该研究为Bi₂O₂Te在微电子和光电子领域的规模化应用奠定了基础，相关成果发表在《ACS Nano Letters》期刊上。此项研究得到了国家自然科学基金和广东省自然科学基金的支持。