清华大学低维量子物理国家重点实验室在量子反常霍尔效应研究中取得重要进展。研究团队利用分子束外延技术生长了高质量的磁性拓扑绝缘体薄膜，并在极低温下系统研究了量子反常霍尔平台之间的相变行为。他们发现，当磁性拓扑绝缘体的磁化方向反转时，矫顽场处出现霍尔电导为零的清晰零级平台。研究表明，这一现象主要由量子反常霍尔效应特有的、仅存在于磁畴边界的一维导电通道决定，不遵循传统量子霍尔效应的普适量子临界行为。该研究成果发表在《Physical Review Letters》并被推荐，表明量子反常霍尔效应可能在自旋电子学器件中有独特应用，具有重要意义。