英特尔揭晓三项芯片封装新技术：EMIB-T、分离式散热器及热压键合工艺

英特尔在电子组件技术会议（ECTC）上披露了多项芯片封装技术突破，这些创新旨在支持日益复杂的处理器设计，并与竞争对手如台积电保持同步。与会期间，英特尔院士兼基板封装开发副总裁Rahul Manepalli详细介绍了三种新技术：EMIB-T、新的分离式散热器设计以及新的热压接合技术。 EMIB-T是英特尔近期的重要突破之一，这项技术通过将通过硅通孔（TSVs）集成到现有的嵌入式多芯片互连桥（EMIB）技术中，极大地提高了片内互联的数据传输速度及电力传输效率。EMIB作为一种硅桥，被嵌入到封装基板中，用于实现各个小芯片之间的通信和电源分配。而在EMIB-T中，TSVs从芯片下方直接提供低阻抗的电源路径，有效地解决了标准EMIB连接电压骤降的问题，这对于HBM4/4e高带宽内存的集成至关重要。EMIB-T不仅支持高达32吉比特每秒或以上的数据传输速度，还使单个大芯片的尺寸能够达到120x180毫米，可容纳超过38座桥和超过12个晶粒大小的小芯片。同时，该技术允许更精细的互连密度，目前展示的设计已经达到了45微米的触点间距，而未来将会进一步缩小至35微米甚至25微米。EMIB-T同时兼容有机和玻璃基板，后者是英特尔未来的重要战略方向。 针对AI应用带来的巨大功耗和散热难题，英特尔还介绍了一种新的分离式散热器设计。这种设计将传统的散热器拆分为一个平板和一个加固件，从而改善散热器与热界面材料（TIM）之间的耦合，有效减少了25%的焊接空洞率，提高了冷却效果。英特尔展示了这一散热解决方案的应用实例，其散热器中集成了微液冷通道，以应对高达1000瓦热设计功耗（TDP）的芯片冷却需求。 此外，英特尔还开发了专为大封装基板设计的新型热压接合技术，解决了在接合过程中芯片和基板翘曲的问题。这项技术通过最小化基板和芯片之间的温差，显著提高了产率和可靠性，允许制造出比现有大量生产中更大的芯片封装。同时，它还能进一步优化EMIB-T技术中的互连密度。 拥有全面且具有竞争力的封装技术对于英特尔代工服务来说至关重要，该公司希望通过提供最广泛的技术选择来吸引客户。先进的封装技术使得客户能够在单一包装中集成不同厂商的CPU、GPU和内存等多种芯片，这不仅有助于降低全面转向英特尔工艺节点的风险，还可以帮助潜在的新客户建立合作关系。目前，英特尔的外部客户包括亚马逊AWS、思科等业巨头，以及美国政府的RAMP-C和SHIP项目。封装合同已成为英特尔代工业务收入增长最快的渠道，生产采用最先进工艺节点的芯片需要较长的前置期，而封装合同则能较快地转化为收入。 业内人士对英特尔的技术突破表示赞赏，认为这些创新不仅展现了英特尔在芯片封装领域的强大实力，还为其代工业务的未来发展提供了坚实基础。同时，随着AI和高性能计算的发展，先进的封装技术将成为推动行业进步的关键因素之一。