软银英特尔联手研发节能AI内存芯片，能耗有望减半

近日，软银和英特尔宣布达成一项合作，共同开发一款新型 AI 专用内存芯片，旨在大幅降低电力消耗。据日经亚洲报道，这款新芯片被设计为一种新型堆叠式 DRAM，与现有市场上的高带宽内存（HBM）不同，它能将电力消耗减少大约50%。这一突破性的技术将有助于提升日本的 AI 基础设施建设效率，同时满足日益增长的企业管理等高阶领域对高性能和低功耗数据处理能力的需求。 为了推进这一项目，软银和英特尔联合成立了新公司 Saimemory，该公司将专注于芯片的设计及专利管理。实际的制造任务将交由专业的代工厂完成。Saimemory 计划在未来两年内完成新芯片的原型开发，并进行评估，确定是否开始量产。该项目预计总投资达到100亿日元（约5亿元人民币），其中软银将提供30亿日元（约1.5亿元人民币）的资金支持。除软银和英特尔外，日本理化学研究所与神港精机也表示有意向加入，可能通过资金或技术支援等方式参与该项目。同时，项目团队正在积极准备申请政府资助，以加速技术研发进程。 软银对此次合作寄予厚望，认为新型内存芯片将在其 AI 训练数据中心中发挥巨大作用。该公司认为，通过采用更节能的内存解决方案，可以大幅降低运行成本，提高数据中心的运营效率，进而在 AI 领域保持竞争优势。与此同时，这款新型芯片有望促进全球范围内更高效、更环保 AI 基础设施的发展，为应对气候变化等环境问题提供技术支持。 业内专家表示，软银和英特尔的合作不仅代表了两家科技巨头在前沿技术领域的深度探索，也是日本科技产业在全球竞争中努力保持技术领先的信号。该款新型芯片的成功研制和应用，或将引领下一代 AI 存储解决方案的方向，开启 AI 技术发展的新篇章。软银作为日本最大的电信运营商之一，在科技创新方面屡有建树；而英特尔则是世界知名的半导体生产和研发企业，二者强强联手，充分展示了科技行业的跨领域合作潜力，预示着行业未来更加广阔的前景。