كioxia كشفت عن نموذج أولي لوحدة ذاكرة فلاش ذات عرض نطاق عالي بسعة 5 تيرابايت وسرعة نقل تصل إلى 64 جيجابايت في الثانية، مصممة خصيصًا لدعم وحدات معالجة الذكاء الاصطناعي. تُعرف هذه التقنية باسم "الذاكرة المُتعددة العرض (HBF)"، وهي مبنية على تقنية NAND، وتُعد تطورًا جوهريًا في توظيف الذاكرة في أنظمة الحوسبة المتقدمة. على عكس الذاكرة المُتعددة عالية السرعة (HBM) التي تعتمد على DRAM، تقدم HBF سعة تصل إلى 8 إلى 16 مرة أكثر، مع الحفاظ على كفاءة طاقة مميزة. بفضل اعتمادها على بروتوكول PCIe 6.0، تُحقق الوحدة سرعة نقل تُضاعف ما تقدمه أسرع وحدات SSD بمنفذ PCIe 5.0 (مثل 9100 Pro من سامسونج التي تصل إلى 14 جيجابايت/ثانية)، وتقترب من أداء HBM2E في بعض الجوانب. لتحقيق هذه السرعة، تستخدم كioxia تقنية PAM4 لزيادة معدل نقل البيانات، مع تطبيق تقنيات متقدمة مثل التصحيح التلقائي للأخطاء، وتعويض الإشارة، وتعديل الإشارة المسبقة، لضمان سلامة الإشارة في ظل التحديات الناتجة عن التردد العالي. رغم أن زمن الوصول (التأخير) لـ NAND لا يزال أعلى بكثير من DRAM (بالميكروثانية مقابل المايكروثانية)، فإن كioxia تقلل هذه الفجوة من خلال تقنيات التنبؤ المسبق (prefetching) وذاكرة مؤقتة ذكية على مستوى المُتحكم. هذا يجعل الوحدة مناسبة جدًا للوظائف التدفقية مثل تدريب النماذج الكبيرة، وتخزين نقاط التحقق (checkpoints)، وتحليل الرسوم البيانية، حيث يُعد عرض النطاق العريض أكثر أهمية من التأخير المطلق. من حيث استهلاك الطاقة، تُظهر الوحدة كفاءة مميزة، إذ لا تتجاوز استهلاكها 40 واط لكل وحدة، ما يُعد تحسنًا كبيرًا مقارنة بوحدات SSD التقليدية التي تستهلك نحو 15 واط لـ 14 جيجابايت/ثانية. هذا يُعد ميزة حاسمة في مراكز البيانات الضخمة التي تشهد تضخمًا في استهلاك الطاقة بسبب وحدات مثل H100. بفضل تصميمها القابل للتوسع (باستخدام متحكمات متسلسلة)، يمكن دمج عدة وحدات دون استنزاف عرض النطاق، مما يسمح بتوسيع الأداء والقدرة بشكل خطي. وبحسب التقديرات، يمكن أن تصل سعة نظام مكوّن من 16 وحدة إلى 80 تيرابايت، مع عرض نطاق يتجاوز تيرابايت في الثانية – ما كان يُعتبر سابقًا محدودًا بوجود أنظمة ملفات متوازية أو ذاكرة مؤقتة من نوع DRAM. تُعد هذه الخطوة جزءًا من رؤية أوسع لكioxia، التي تُركّز على تطوير حلول ذاكرة عالية الأداء منذ سنوات، بما في ذلك أبحاثها مع نيفيديا حول وحدات XL-Flash بقدرة 10 ملايين عملية إدخال/إخراج في الثانية. وتدعم هذه الجهود توسعًا في مصانعها في اليابان، نظرًا لتوقع نمو طلب الذاكرة NAND بنسبة تصل إلى 3 أضعاف بحلول 2028. رغم أن الوحدة ما زالت في مرحلة النموذج الأولي، وتبقى بعض التحديات مفتوحة، مثل الأداء في المهام العشوائية، وتأثير التصحيح على التأخير، فإن الرسالة الأساسية واضحة: الذاكرة فلاش لم تعد محدودة بالتخزين البطيء، بل تتحرك نحو قمة هرم الحوسبة، لتُصبح بديلًا قويًا للذاكرة المُتعددة عالية السرعة في بيئات الذكاء الاصطناعي.