英特尔更新晶圆代工路线图：18A-PT支持3D芯片堆叠，14A工艺节点启动合作

英特尔新任CEO Lip Bu-Tan在加利福尼亚州圣何塞举行的英特尔代工服务2025（Intel Foundry Direct 2025）活动上宣布了公司在代工业务方面的最新进展。其中最大的亮点包括即将面世的14A工艺节点（相当于1.4纳米）以及18A节点的多种扩展版本，特别是支持3D芯片堆叠的新18A-PT节点。 英特尔18A节点进展 英特尔的18A节点已经进入试产阶段，预计在2023年底开始大量制造。这是英特尔的一个重要里程碑，标志着公司在高端制造领域向重新领先TSMC迈出了关键一步。18A节点首次采用了PowerVia背侧供电网络（BSPDN）和RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管技术。PowerVia优化了芯片背面的电源路由，提高了性能和晶体管密度；而RibbonFET通过使用四层垂直纳米片，能够在更小的面积内实现更高的晶体管密度和更快的开关速度。 最新的18A节点变种——18A-P和18A-PT，旨在满足不同客户的需求。18A-P是一种高性能版本，相比标准18A节点，提供了5-10%的性能/功耗比提升。18A-PT则进一步增加了Foveros Direct 3D混合键合技术，实现了无凸点的铜对铜直接键合，并通过低于5微米间距的硅通孔（TSVs）将多个芯片垂直堆叠在一起。这使得英特尔能够在性能和效率方面与TSMC竞争，特别是其SoIC-X技术使用的9微米凸点间距。18A-PT的这一进步意味着英特尔在3D封装技术上取得了显著进展。 英特尔14A节点进展 下一代工艺节点14A也在开发中，尽管目前没有明确的时间表，但英特尔预计这将是行业内首个采用高数值孔径（High-NA）EUV光刻技术的节点。TSMC的A14节点（1.4纳米级）预计在2028年问世，但不会使用High-NA光刻技术。14A节点还将引入第二代PowerVia技术，名为PowerDirect，这种技术通过专用触点直接为每个晶体管的源极和漏极供电，从而进一步降低电阻并提高能效。TSMC计划在其后续节点A16中使用类似的后侧供电技术，但A16要到2026年末才能量产。 成熟节点进展 除了领先的18A和14A节点，英特尔代工厂也在不断推进成熟节点的发展。目前，英特尔已在其16纳米节点实现了首个生产性的胶片试制（tapeout），并开始与客户接触12纳米节点的需求。12纳米节点由英特尔与联电（UMC）合作开发，初步定于2027年开始在美国亚利桑那州的三座工厂投产，主要用于移动通信基础设施和网络应用。 生态系统的扩展 英特尔还强调了其生态系统合作伙伴的重要性，与多家电子设计自动化（EDA）软件厂商如新思科技和铿腾电子技术合作，提供行业标准的设计工具和支持。此外，英特尔加入了新的芯片联盟——Intel Foundry Chiplet Alliance，允许客户在其设计中混用和匹配不同的芯片模块。先进的封装服务，尤其是3D堆叠技术，将在短期内帮助英特尔实现可观的收入增长。公司还宣布与Amkor建立了新的合作关系，未来将更多分享3D堆叠Foveros技术的细节。 行业评价 业内人士认为，英特尔在代工业务上的这些进展，尤其是在先进封装技术和新一代工艺节点上的突破，使其在高端半导体制造领域的竞争力显著增强。尤其是在当前地缘政治紧张局势下，中国大陆与台湾之间的紧张关系可能导致全球供应链分裂，英特尔作为美国本土唯一的高端制造供应商具有独特的优势。公司的这些技术进步为其吸引更多的国际客户打下了坚实的基础，尤其是在高可靠性和高性能计算方面。