铠侠启动第九代BiCS FLASH™ 512Gb TLC闪存器件样品出货

日本存储企业Kioxia宣布已开始向客户发送其第九代BiCS FLASH™ 512Gb TLC闪存样品，预计2025财年将启动大规模生产。该产品采用120层堆叠技术，结合先进CMOS工艺，显著提升了性能和能效，适用于低至中等存储容量的高性能设备，并将用于提升AI系统中GPU效率的企业级固态硬盘（SSD）。 Kioxia表示，该技术在相同512Gb容量下，相比现有产品有明显改进，包括更高的读写速度，演示条件下可达4.8Gb/s。产品具体规格将根据市场需求确定。 此次推出的第九代BiCS FLASH™技术，可选配112层第五代或218层第八代技术，以满足不同型号需求。同时，第六代BiCS FLASH™也将继续用于512Gb TLC产品。 Kioxia致力于加强全球合作，推动技术创新，为客户提供最优存储解决方案。其产品密度以芯片容量为准，而非用户实际可用容量，实际可用空间会因格式化、坏块等因素减少。 公司强调，此次发布仅为信息说明，不构成任何投资邀约或证券买卖建议，产品信息可能在未通知的情况下变更。Kioxia是全球领先的存储解决方案提供商，其BiCS FLASH™ 3D闪存技术广泛应用于智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI等领域。